SSD 990 EVO Plus 2To M.2 NVMe PCIe Express 4.0
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La vitesse EVO, une génération plus loin
Le Samsung 990 EVO Plus 2 To est la réponse directe aux besoins croissants en bande passante des configurations modernes. Héritier de la gamme EVO reconnue pour son rapport performances/prix, ce SSD M.2 NVMe s’appuie sur l’interface PCIe Gen 4×4 pour atteindre des débits séquentiels en lecture allant jusqu’à 7 250 Mo/s. Le résultat ? Des temps de chargement réduits à leur strict minimum, que ce soit pour lancer Windows, compiler un projet ou ouvrir des fichiers lourds en édition vidéo.
Une endurance taillée pour durer
Samsung intègre sa technologie TurboWrite de dernière génération, qui maintient des vitesses d’écriture élevées sur des volumes importants de données. Le contrôleur propriétaire Samsung gère intelligemment la charge thermique et la répartition des écritures sur les cellules NAND V-NAND, garantissant une durée de vie élevée avec une endurance TBW de 1 200 To. Un SSD qui s’inscrit dans la durée, même pour un usage intensif quotidien.
Compatibilité universelle, installation sans friction
Au format M.2 2280 standardisé, le 990 EVO Plus s’intègre dans la quasi-totalité des cartes mères modernes disposant d’un slot M.2 PCIe 4.0 : Intel ou AMD. Il est également rétrocompatible PCIe 3.0 si votre configuration n’est pas encore passée à la 4e génération. Samsung Magician, le logiciel de gestion dédié, permet de monitorer la santé du disque, de mettre à jour le firmware et d’optimiser les performances en quelques clics.
Caractéristiques clés
- Capacité : 2 To
- Interface : PCIe Gen 4.0 x4, compatible NVMe 2.0
- Lecture séquentielle : jusqu’à 7 250 Mo/s
- Écriture séquentielle : jusqu’à 6 300 Mo/s
- Lecture aléatoire (IOPS) : jusqu’à 1 000 000
- Écriture aléatoire (IOPS) : jusqu’à 1 000 000
- Endurance TBW : 1 200 To
- MTBF : 1 500 000 heures
- Format : M.2 2280
- Garantie constructeur : 5 ans
Général
| Marque | Samsung |
| Modèle | 990 EVO Plus |
| Référence | MZ-V9S2T0BW |
| Capacité | 2 To (2 000 Go) |
| Type de mémoire | V-NAND TLC |
| Contrôleur | Samsung propriétaire |
| Cache DRAM | Non (HMB : Host Memory Buffer) |
| Logiciel inclus | Samsung Magician |
| Couleur | Noir |
Performances
| Lecture séquentielle | Jusqu'à 7 250 Mo/s |
| Écriture séquentielle | Jusqu'à 6 300 Mo/s |
| Lecture aléatoire (4K) | Jusqu'à 1 000 000 IOPS |
| Écriture aléatoire (4K) | Jusqu'à 1 000 000 IOPS |
| Technologie d'accélération | TurboWrite |
| Endurance (TBW) | 1 200 To |
| MTBF | 1 500 000 heures |
| Chiffrement matériel | AES 256 bits, TCG/Opal 2.0 |
Connectique & Compatibilité
| Interface | PCIe Gen 4.0 x4 |
| Protocole | NVMe 2.0 |
| Rétrocompatibilité | PCIe Gen 3.0 x4 |
| Format | M.2 2280 |
| Connecteur | M Key |
| Compatibilité OS | Windows 10/11, Linux, macOS (via adaptateur) |
| Compatible PS5 | Oui (avec dissipateur thermique recommandé) |
Caractéristiques physiques
| Dimensions | 80 x 22 x 2,38 mm |
| Poids | Environ 8 g |
| Dissipateur inclus | Non |
| Température de fonctionnement | 0°C à 70°C |
| Température de stockage | -40°C à 85°C |
| Résistance aux chocs | 1 500 G / 0,5 ms |
| Consommation (lecture) | 5,5 W |
| Consommation (veille) | 50 mW |
Garantie
| Garantie constructeur | 5 ans |
| Support Samsung | Oui, via Samsung France |
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